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SI8819EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Número de pieza
SI8819EDB-T2-E1
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
4-XFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Disipación de energía (máx.)
900mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.9A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 3.7V
Vgs (máx.)
±8V
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