Comprar Vishay Siliconix SIHB22N60AEL-GE3X MOSFET N-CHAN 600V

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SIHB22N60AEL-GE3X

MOSFET N-CHAN 600V

Número de pieza

SIHB22N60AEL-GE3X

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

D²PAK (TO-263)

Disipación de energía (máx.)

208W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

21A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1757pF @ 100V

Vgs (máx.)

±30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

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