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SIR492DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Número de pieza
SIR492DP-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SO-8
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Disipación de energía (máx.)
4.2W (Ta), 36W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
40A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3720pF @ 6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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