Comprar Vishay Siliconix SISS71DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

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Hojas de datos

SISS71DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

Número de pieza

SISS71DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

ThunderFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

57W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

23A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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