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SIZ980DT-T1-GE3

SIZ980DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Número de pieza
SIZ980DT-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerWDFN
Potencia - Máx.
20W, 66W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-PowerPair®
Tipo FET
2 N-Channel (Dual), Schottky
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
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Palabras clave deSIZ980DT-T1-GE3
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