Comprar Vishay Siliconix SQM120N10-3M8_GE3 MOSFET N-CH 100V 120A TO263

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Hojas de datos

SQM120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

Número de pieza

SQM120N10-3M8_GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-263 (D²Pak)

Disipación de energía (máx.)

375W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

120A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

190nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7230pF @ 25V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

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