Diode/Bridge Rectifier
Número de pieza
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
Fabricantes
DC Reverse Withstand Voltage (Vr) 1000 Average Rectified Current (Io) 3 Forward Surge Current (Ifsm) 125 Reverse Current (Ir) 5
Descripción
99380 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
30V 0.2A
Descripción
72868 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
30V 0.2A
Descripción
91880 PCS
En stock
Número de pieza
Crystal Conductor Microelectronics
Fabricantes
Descripción
97312 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
VR=30V IO=0.2A [email protected]
Descripción
89789 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
VR=30V IO=0.2A [email protected]
Descripción
70869 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry features chromium barrier metal, epitaxy with oxide passivation, and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling diodes and polarity protection diodes.
Descripción
50517 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
55220 PCS
En stock
Número de pieza
JUXING
Fabricantes
IF(A) 1.5 VRRM(V) 1000 IFSM(A) 50 VFM@IF(V) 1.3 IRM@VRRM(uA) 5 trr(ns) 500
Descripción
91201 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
69206 PCS
En stock