Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
UTC(Youshun)
Fabricantes
PNP, Vceo=-50V, Ic=-150mA, hfe=200~400
Descripción
99601 PCS
En stock
Número de pieza
APM (Jonway Microelectronics)
Fabricantes
Descripción
89616 PCS
En stock
Número de pieza
KEC
Fabricantes
PNP Vceo=-50V Ic=-2A PC=1.5W switching transistor
Descripción
97717 PCS
En stock
Número de pieza
MSKSEMI (Mesenco)
Fabricantes
Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 65V Collector Current (Ic): 100mA Power (Pd): 200mW Collector Cutoff Current (Icbo): 100nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 500mV@100mA, 5mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 110@2mA, 5V Characteristic frequency (fT): 100MHz Operating temperature: +150℃@(Tj) BC846AW-F2-0000HF
Descripción
83382 PCS
En stock
Número de pieza
CET (Huarui)
Fabricantes
P-channel, -30V, -3.1A, 80mΩ@-10V
Descripción
57708 PCS
En stock
Número de pieza
Crystal Conductor Microelectronics
Fabricantes
Descripción
55846 PCS
En stock
Número de pieza
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
53339 PCS
En stock
Número de pieza
SY (Shunye)
Fabricantes
Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V Collector Current (Ic): 3A Power (Pd): 500mW
Descripción
53181 PCS
En stock
Número de pieza
WINSOK (Weishuo)
Fabricantes
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 50 VGS(th)(v) 1.8 RDS(ON)(m?)@4.475V 23 Qg(nC)@4.5V 28 QgS(nC) 3.5 Qgd(nC) 6.5 Ciss(pF) 1680 Coss(pF) 115 Crss(pF) 85
Descripción
62737 PCS
En stock
Número de pieza
LONTEN (Longteng Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
73711 PCS
En stock