Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Fabricantes
Semiconductor transistor field effect transistor MOS tube, TO-251A, P channel, withstand voltage: -60V, current: -35A, 10V internal resistance (Max): 0.033Ω, 4.5V internal resistance (Max): 0.04Ω, power: 90W
Descripción
61492 PCS
En stock
Número de pieza
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
72171 PCS
En stock
Número de pieza
UMW (Friends Taiwan Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
55107 PCS
En stock
Número de pieza
UTC(Youshun)
Fabricantes
NPN, Vceo=45V, Ic=1.5A, hfe=160~400
Descripción
99070 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
53439 PCS
En stock
Número de pieza
HTCSEMI (Haitian core)
Fabricantes
Crystal array device with rated 50V/500mA drive capability
Descripción
88050 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
N-channel, Vds=20V
Descripción
61385 PCS
En stock
Número de pieza
Nexperia
Fabricantes
Dual Transistor NPN/PNP
Descripción
83073 PCS
En stock
Número de pieza
Nexperia
Fabricantes
Dual Transistor NPN/PNP
Descripción
97754 PCS
En stock
Número de pieza
TWGMC (Taiwan Dijia)
Fabricantes
Transistor type: NPN Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 40V Collector current (Ic): 200mA Power (Pd): 200mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA,1V
Descripción
71322 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
77095 PCS
En stock