Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
ElecSuper (Jingxin Micro)
Fabricantes
Descripción
83941 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
P-channel, -20V, -10A, 13mΩ@-10V
Descripción
66471 PCS
En stock
Número de pieza
LRC (Leshan Radio)
Fabricantes
NPN
Descripción
68106 PCS
En stock
Número de pieza
AGM-Semi (core control source)
Fabricantes
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 150V Continuous Drain Current (Id): 180A Power (Pd): 300W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 5.6mΩ@ 10V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.9@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 72nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.240nF@75V , Vds=150v Id=180A Rds=5.6 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Descripción
93631 PCS
En stock
Número de pieza
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
N-channel, Vce=1200V, Ic=6A, Vce(sat)=2.8V
Descripción
59801 PCS
En stock
Número de pieza
Nexperia
Fabricantes
N-channel, 30V, 100A, 3mΩ@10V
Descripción
84113 PCS
En stock