AGM-Semi (core control source)
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AGM15T06LL
N-channel 150V 180A 5.6mΩ
Número de pieza
AGM15T06LL
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TOLL
Embalaje
taping
Número de paquetes
2000
Descripción
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-Source Voltage (Vdss): 150V Continuous Drain Current (Id): 180A Power (Pd): 300W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 5.6mΩ@ 10V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.9@250uA Gate Charge (Qg@Vgs) 72nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.240nF@75V , Vds=150v Id=180A Rds=5.6 mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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