AGM-Semi (core control source)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
AGM10N15D
AGM10N15D
Número de pieza
AGM10N15D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-252
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 150V Continuous drain current (Id): 8.6A Power (Pd): 39W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 196mΩ@10V, 4A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 2.0@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 8.2nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.45nF@75V, Vds=150v Id=8.6A Rds=196mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 55317 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deAGM10N15D
AGM10N15D Componentes electrónicos
AGM10N15D Ventas
AGM10N15D Proveedor
AGM10N15D Distribuidor
AGM10N15D Tabla de datos
AGM10N15D Fotos
AGM10N15D Precio
AGM10N15D Oferta
AGM10N15D El precio más bajo
AGM10N15D Buscar
AGM10N15D Adquisitivo
AGM10N15D Chip