AGM-Semi (core control source)
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AGM10N15R
AGM10N15R
Número de pieza
AGM10N15R
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOT-223
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 150V Continuous Drain Current (Id): 8.2A Power (Pd): 39W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 245mΩ@10V,4A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.75V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 8.2nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.45nF@75V Operating Temperature: -55℃~+150℃@( Tj);
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