AGM-Semi (core control source)
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AGM1099S
AGM1099S
Número de pieza
AGM1099S
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOP-8
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 7.0A Power (Pd): 3.1W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,4A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 3.57nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.182nF@50V , Vds=100V Id=7.0A Rds=100mΩ ,Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
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