Comprar AGM-Semi (core control source) AGM1095M N+P channel 100V 7A/-6A 100mΩ/240mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM1095M

N+P channel 100V 7A/-6A 100mΩ/240mΩ

Número de pieza

AGM1095M

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

SOP-8

Embalaje

taping

Número de paquetes

3000

Descripción

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: One N-channel and one P-channel Drain-source voltage (Vdss): 100V Continuous drain current (Id): 7A/-6A Power (Pd): 2.5W On-resistance (RDS(on )@Vgs, Id: 100mΩ@10V, 6A/240mΩ@-10V, -6A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 1.6A@250uA/-1.6A@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 25.4nC @10V/33nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.999nF@50V/1.6nF@50V, Vds=100v Id=7A/-6A Rds=100mΩ/240mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@ (Tj)

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