Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
Sinopower (large and medium)
Fabricantes
Descripción
57030 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
Descripción
75709 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
Descripción
57335 PCS
En stock
Número de pieza
JESTEK (JESTEK)
Fabricantes
P channel -30V
Descripción
77637 PCS
En stock
Número de pieza
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Fabricantes
20V 90A 4mΩ TO-252 encapsulation
Descripción
88315 PCS
En stock
Número de pieza
RealChip (Shenxin Semiconductor)
Fabricantes
N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 3A Power (Pd): 1.4W On-resistance (RDS(on)Max@Vgs,Id): 100mΩ@10V, 2.6A
Descripción
57282 PCS
En stock
Número de pieza
AGM-Semi (core control source)
Fabricantes
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 80A Power (Pd): 78W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9.0mΩ @10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.0V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 36.5nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.978nF@50V ,Vds=100V Id= 80A Rds=9.0mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Descripción
87975 PCS
En stock
Número de pieza
MOT (Renmao)
Fabricantes
Voltage VDSS650V, on-resistance Rds1.2 ohms, charge Qg29nC, current ID7A
Descripción
65531 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Descripción
99729 PCS
En stock