Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
Galaxy Microelectronics
Fabricantes
HFE:100-250
Descripción
54181 PCS
En stock
Número de pieza
PJSEMI (flat crystal micro)
Fabricantes
Transistor type: NPN, collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 50V collector current (Ic): 100mA R1=47K R2=47K
Descripción
58603 PCS
En stock
Número de pieza
APM (Jonway Microelectronics)
Fabricantes
Descripción
57729 PCS
En stock
Número de pieza
FOSAN (Fuxin)
Fabricantes
Field effect transistor (MOSFET) N-channel VDSS:30V ID:8A
Descripción
85546 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
96712 PCS
En stock
Número de pieza
ElecSuper (Jingxin Micro)
Fabricantes
Descripción
67102 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
PNP
Descripción
85390 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This NPN bipolar transistor is suitable for linear and switching applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Descripción
51535 PCS
En stock
Número de pieza
AGM-Semi (core control source)
Fabricantes
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 220A Power (Pd): 200W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.8mΩ@10V,60A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 134.2nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.755nF@25V Operating Temperature: -55℃~+150℃@( Tj)
Descripción
66969 PCS
En stock
