Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
NPN,Vceo=40V,Ic=600mA
Descripción
50705 PCS
En stock
Número de pieza
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
83853 PCS
En stock
Número de pieza
I-CORE (Zhongwei Love Core)
Fabricantes
Descripción
93327 PCS
En stock
Número de pieza
APM (Jonway Microelectronics)
Fabricantes
Descripción
56337 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
This N-channel enhancement mode field effect power transistor is produced using a high cell density DMOS proprietary process. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. These devices are ideal for low-voltage applications such as notebook computers, cell phones, PCMICA cards, and other battery-powered circuits, where fast switching and low in-line power losses are required in a very small surface-mount encapsulation.
Descripción
51473 PCS
En stock
Número de pieza
TI (Texas Instruments)
Fabricantes
12V, N-Channel NexFET MOSFET™, Single LGA 0.8x1.5, 19mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
Descripción
89110 PCS
En stock
Número de pieza
TI (Texas Instruments)
Fabricantes
CSD19537Q3 CSD19537Q3, 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Descripción
96378 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
Descripción
58729 PCS
En stock
Número de pieza
APM (Jonway Microelectronics)
Fabricantes
Descripción
99754 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
N-channel, 55V, 81A, 12mΩ@10V
Descripción
94964 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
79517 PCS
En stock