Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
ST (STMicroelectronics)
Fabricantes
600V 20A
Descripción
86139 PCS
En stock
Número de pieza
FUXINSEMI (Fuxin Senmei)
Fabricantes
Four-quadrant bidirectional thyristor, parameter off-state repetitive peak voltage VDRM/VRRM: 600V on-state RMS current IT(RMS) 0.8A, conduction voltage drop VTM: 1.55V, gate trigger current Igt3<5mA
Descripción
60980 PCS
En stock
Número de pieza
DIODES (US and Taiwan)
Fabricantes
NPN, 100V, 2A, E-Line
Descripción
50788 PCS
En stock
Número de pieza
Potens (Bosheng Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
93305 PCS
En stock
Número de pieza
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Fabricantes
Descripción
50463 PCS
En stock
Número de pieza
AGM-Semi (core control source)
Fabricantes
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 7.2A Power (Pd): 13W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 78mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 6.0nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.52nF@50V , Vds=100V Id=7.2A Rds=78mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Descripción
75611 PCS
En stock
Número de pieza
CET (Huarui)
Fabricantes
N-channel, 20V, 6.2A, 30mΩ@2.5V
Descripción
50236 PCS
En stock