Triode/MOS tube/transistor/module
Número de pieza
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Fabricantes
Descripción
55549 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
400V N-channel ignition IGBT for automotive ignition coil driver circuits and coil on plug applications.
Descripción
58571 PCS
En stock
Número de pieza
CRMICRO (China Resources Micro)
Fabricantes
Descripción
70267 PCS
En stock
Número de pieza
AOS
Fabricantes
P-channel, -30V, -70A, 8mΩ@-10V
Descripción
71168 PCS
En stock
Número de pieza
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Fabricantes
Descripción
74967 PCS
En stock
Número de pieza
onsemi (Ansemi)
Fabricantes
N-Channel Small Signal MOSFET 60V 380mA 1.6 Ω
Descripción
85775 PCS
En stock
Número de pieza
PIP (Li Jun)
Fabricantes
N-channel, 40V, 1.65m²@10V, 245A
Descripción
86635 PCS
En stock
Número de pieza
Infineon (Infineon)
Fabricantes
N-channel, Vce=600V, Ic=96A, Vce(on)=1.65V
Descripción
85241 PCS
En stock
Número de pieza
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Fabricantes
Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V Collector Current (Ic): 500mA Power (Pd): 300mW Collector Cutoff Current (Icbo): 100nA Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat) @Ic,Ib): 700mV@500mA, 50mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 160@100mA, 1V Characteristic frequency (fT): 100MHz Operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Descripción
65401 PCS
En stock
