AGM-Semi (core control source)
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AGM502
N-channel 60V 0.8A 1.2mΩ
Número de pieza
AGM502
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOT-523
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 0.8A Power (Pd): 0.43W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2mΩ@10V,0.2 A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.9V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 1.4nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.034nF@25V, Vds=60V Id=0.8A Rds =1.2mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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