AGM-Semi (core control source)
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AGM7N65F
N-channel 650V 7A 1.37Ω
Número de pieza
AGM7N65F
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
TO-220F
Embalaje
Tube
Número de paquetes
50
Descripción
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 650V Continuous Drain Current (Id): 7A Power (Pd): 97W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 1.37Ω@10V, 3.5A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 32nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.891nF@25V, Vds=650v Id=7A Rds=1.37Ω, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)
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