HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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AON7264E-HXY
N-channel 60V 40A
Número de pieza
AON7264E-HXY
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulación
DFN3x3-8L
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Field effect transistor (MOSFET) Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 40A On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@10V, 20A
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