DIODES (US and Taiwan)
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DGD2110S16-13 Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.5A source current 2.5A

DGD2110S16-13

Half-bridge IGBT MOSFET sink current 2.5A source current 2.5A
Número de pieza
DGD2110S16-13
Categoría
Power Chip > Gate Driver IC
Fabricante/Marca
DIODES (US and Taiwan)
Encapsulación
SSOP-16-150mil
Embalaje
taping
Número de paquetes
1500
Descripción
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