onsemi (Ansemi)
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FDFMA2P029Z-F106
P-Channel 20V 3.1A Integrated P-Channel, Power Trench MOSFET and Schottky Diode, -20V, 3.1A, 95mΩ
Número de pieza
FDFMA2P029Z-F106
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
WDFN-6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
The device is specifically designed as a single-encapsulation solution for battery charging switches in cell phones and other ultra-portable applications. It features a MOSFET with very low on-resistance, and a separately connected low forward voltage Schottky diode for lowest conduction losses. MicroFET 2X2 encapsulation provides excellent thermal performance relative to physical size for linear mode applications.
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Palabras clave deFDFMA2P029Z-F106
FDFMA2P029Z-F106 Componentes electrónicos
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