onsemi (Ansemi)
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FDMD8630 Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 30 V, 167 A, 1.0 mΩ

FDMD8630

Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 30 V, 167 A, 1.0 mΩ
Número de pieza
FDMD8630
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
PQFN-8
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
This encapsulation integrates two internally connected N-channel devices in a common-source configuration. This results in extremely low encapsulation parasitics and an optimized thermal path to the bottom common source pad. Offers an extremely small footprint (5 x 6 mm), enabling higher power density.
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