onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FDY102PZ
P-channel 20V 830mA P-channel (-1.5V) specified PowerTrench MOSFET -20V, -0.83A, 0.5Ω
Número de pieza
FDY102PZ
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SC-89-3
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
This single P-channel MOSFET is designed using an advanced Power Trench process to optimize rDS(on)@VGS = –1.5 V.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 96991 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
2 P-Channel 20V 830mA Dual P-Channel, (-1.5 V) Specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -0.83A, 0.5Ω
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 350mA P-channel, (-2.5 V) specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -0.35A, 1.2Ω
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 150mA P-channel, -2.5V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -0.15A, 8Ω
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 830mA P-channel (-1.5V) specified PowerTrench MOSFET -20V, -0.83A, 0.5Ω
onsemi (Ansemi)
Palabras clave deFDY102PZ
FDY102PZ Componentes electrónicos
FDY102PZ Ventas
FDY102PZ Proveedor
FDY102PZ Distribuidor
FDY102PZ Tabla de datos
FDY102PZ Fotos
FDY102PZ Precio
FDY102PZ Oferta
FDY102PZ El precio más bajo
FDY102PZ Buscar
FDY102PZ Adquisitivo
FDY102PZ Chip