onsemi (Ansemi)
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FFSH20120A
1.2kV 30A 1.45V@20A Silicon carbideSilicon carbide Schottky diode
Número de pieza
FFSH20120A
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-247-2
Embalaje
Tube
Número de paquetes
30
Descripción
Silicon carbide (SiC) Schottky diode uses a new technology that can provide excellent switching performance and has higher reliability than silicon. Silicon carbide's no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance make it a next-generation power semiconductor product. System benefits include highest energy efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
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Palabras clave deFFSH20120A
FFSH20120A Componentes electrónicos
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