onsemi (Ansemi)
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FGY60T120SQDN
FGY60T120SQDN IGBT, super cut-off -1200V 60A
Número de pieza
FGY60T120SQDN
Categoría
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-247-3
Embalaje
Tube
Número de paquetes
30
Descripción
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a rugged, cost-effective Super Field Stop (FS) Trench structure that provides excellent performance for demanding switching applications, provides low on-state voltage, and minimizes switching losses . This IGBT is ideal for UPS and solar applications. The device combines a soft and fast combined encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
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