QH MICRO-E (QH MICRO-E)
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HD1001 Ultra-high-speed GaN FET driver

HD1001

Ultra-high-speed GaN FET driver
Número de pieza
HD1001
Categoría
Power Chip > Gate Driver IC
Fabricante/Marca
QH MICRO-E (QH MICRO-E)
Encapsulación
TDFN-6-EP(2x2)
Embalaje
bagged
Número de paquetes
300
Descripción
Power supply voltage: 5V single-channel driver, driving GaN or Si MOSFET, non-inverting or inverting input, minimum pulse width: 1.5ns, rising and falling delay time: 4ns, rising and falling time: 1ns, operating temperature: -40℃~125 ℃ , output driver current: 6A (pull-up) / 6A (pull-down)
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