onsemi (Ansemi)
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HGT1S10N120BNST
NPT 298W 1.2kV 35A IGBT, 1200V, NPT
Número de pieza
HGT1S10N120BNST
Categoría
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-263AB
Embalaje
taping
Número de paquetes
800
Descripción
The HGT1S10N120BNST is based on a No Through Punch (NPT) IGBT design. This IGBT is suitable for a variety of high voltage switching applications operating at medium frequencies where low conduction losses are critical, such as UPS, solar inverters, motor control and power supplies.
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