onsemi (Ansemi)
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HGTD1N120BNS9A
NPT 60W 1.2kV 5.3A IGBT, 1200V, NPT
Número de pieza
HGTD1N120BNS9A
Categoría
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-252AA
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
The HGTD1N120BNS9A is based on a No Through Punch (NPT) IGBT design. This IGBT is suitable for a variety of high voltage switching applications operating at medium frequencies where low conduction losses are critical, such as UPS, solar inverters, motor control and power supplies.
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