HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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HN2199
N+P channel 40V 30A
Número de pieza
HN2199
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulación
DFN5x6-8L
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Field effect transistor (MOSFET) N+P channel, N: VDSS withstand voltage 40V, ID current 30A, RDON on-resistance 27mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 1-2.5V, P: VDSS withstand Voltage 40V, ID current 20A, RDON on-resistance 42mR@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 1-2.5V,
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