HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
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HXY2N65D
N-channel 650V 2A
Número de pieza
HXY2N65D
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulación
TO-252-2L
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
Field effect transistor (MOSFET) N-channel, VDSS withstand voltage 650V, ID current 2A, RDON on-resistance 5R@VGS 10V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 2.0-4.0V
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