MSKSEMI (Mesenco)
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L2N7002DW1T1G-MS

L2N7002DW1T1G-MS
Número de pieza
L2N7002DW1T1G-MS
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
MSKSEMI (Mesenco)
Encapsulación
SOT-363
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
MOS tube type: 2 N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 300mA Power (Pd): 280mW On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.8Ω@10V ,300mA
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Palabras clave deL2N7002DW1T1G-MS
L2N7002DW1T1G-MS Componentes electrónicos
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