onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
MJD31C1G NPN 100V 3A 3.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor

MJD31C1G

NPN 100V 3A 3.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor
Número de pieza
MJD31C1G
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
IPAK
Embalaje
Tube
Número de paquetes
75
Descripción
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. MJD31, MJD31C (NPN) and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 68577 PCS
Información del contacto
Palabras clave deMJD31C1G
MJD31C1G Componentes electrónicos
MJD31C1G Ventas
MJD31C1G Proveedor
MJD31C1G Distribuidor
MJD31C1G Tabla de datos
MJD31C1G Fotos
MJD31C1G Precio
MJD31C1G Oferta
MJD31C1G El precio más bajo
MJD31C1G Buscar
MJD31C1G Adquisitivo
MJD31C1G Chip