onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
NGTB35N65FL2WG
Trench Field Stop 300W 650V 70A IGBT 650V 35A FS2 Solar/UPS
Número de pieza
NGTB35N65FL2WG
Categoría
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-247
Embalaje
Tube
Número de paquetes
30
Descripción
This Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a rugged, cost-effective field-stop II trench structure and provides excellent performance for demanding switching applications, providing low on-state voltage and minimizing switching losses. This IGBT is ideal for UPS and solar applications. This device integrates a soft, fast combined encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 67039 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Trench Field Stop 349W 1.2kV 100A IGBT, Super Field Stop — 1200V 25A
onsemi (Ansemi)
Palabras clave deNGTB35N65FL2WG
NGTB35N65FL2WG Componentes electrónicos
NGTB35N65FL2WG Ventas
NGTB35N65FL2WG Proveedor
NGTB35N65FL2WG Distribuidor
NGTB35N65FL2WG Tabla de datos
NGTB35N65FL2WG Fotos
NGTB35N65FL2WG Precio
NGTB35N65FL2WG Oferta
NGTB35N65FL2WG El precio más bajo
NGTB35N65FL2WG Buscar
NGTB35N65FL2WG Adquisitivo
NGTB35N65FL2WG Chip