onsemi (Ansemi)
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NGTB40N120FL3WG
Trench Field Stop 454W 1.2kV 160A IGBT, Super Field Stop -1200V 40A
Número de pieza
NGTB40N120FL3WG
Categoría
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-247-3
Embalaje
Tube
Número de paquetes
30
Descripción
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) utilizes a durable and cost-effective Super Field Stop Trench structure to provide excellent performance in demanding switching applications, along with low on-state voltage and lowest switching losses. The IGBT is ideal for UPS and solar applications. The device combines a soft and fast co-encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
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Palabras clave deNGTB40N120FL3WG
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