onsemi (Ansemi)
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NSV1C201LT1G
NPN 100V 2A 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor
Número de pieza
NSV1C201LT1G
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SOT-23-3
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Low VCE(sat) bipolar transistors are miniature surface mount devices with ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These devices are designed for low-voltage, high-speed switching applications that require economical and efficient energy control.
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Palabras clave deNSV1C201LT1G
NSV1C201LT1G Componentes electrónicos
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