La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
AOT3N100
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220
Número de pieza
AOT3N100
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220
Disipación de energía (máx.)
132W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1000V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 24677 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deAOT3N100
AOT3N100 Componentes electrónicos
AOT3N100 Ventas
AOT3N100 Proveedor
AOT3N100 Distribuidor
AOT3N100 Tabla de datos
AOT3N100 Fotos
AOT3N100 Precio
AOT3N100 Oferta
AOT3N100 El precio más bajo
AOT3N100 Buscar
AOT3N100 Adquisitivo
AOT3N100 Chip