Central Semiconductor Corp
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CXDM3069N TR
Hojas de datos

CXDM3069N TR

MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Número de pieza
CXDM3069N TR
Fabricante/Marca
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-243AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-89
Disipación de energía (máx.)
1.2W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6.9A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
580pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 10V
Vgs (máx.)
12V
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