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CDBGBSC201200-G
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Número de pieza
CDBGBSC201200-G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247
Tipo de diodo
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
1.8V @ 10A
Corriente - Fuga inversa @ Vr
100µA @ 1200V
Configuración de diodo
1 Pair Common Cathode
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
1200V
Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo)
25.9A (DC)
Velocidad
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0ns
Temperatura de funcionamiento: unión
-55°C ~ 175°C
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