La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
E3M0280090D

E3M0280090D

E-SERIES 900V, 280 MOHM, G3 SIC
Número de pieza
E3M0280090D
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, E
Estado de la pieza
Active
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247-3
Disipación de energía (máx.)
54W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
900V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
11.5A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 1.2mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 600V
Vgs (máx.)
+18V, -8V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
15V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 42299 PCS
Información del contacto
Palabras clave deE3M0280090D
E3M0280090D Componentes electrónicos
E3M0280090D Ventas
E3M0280090D Proveedor
E3M0280090D Distribuidor
E3M0280090D Tabla de datos
E3M0280090D Fotos
E3M0280090D Precio
E3M0280090D Oferta
E3M0280090D El precio más bajo
E3M0280090D Buscar
E3M0280090D Adquisitivo
E3M0280090D Chip