Comprar Diodes Incorporated DMJ70H1D3SH3 MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

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DMJ70H1D3SH3

MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Número de pieza

DMJ70H1D3SH3

Fabricante/Marca

Diodes Incorporated

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-251

Disipación de energía (máx.)

41W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

700V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.3 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

13.9nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

351pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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