Comprar Infineon Technologies BSC200P03LSGAUMA1 MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8

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Hojas de datos

BSC200P03LSGAUMA1

MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8

Número de pieza

BSC200P03LSGAUMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TDSON-8

Disipación de energía (máx.)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9.9A (Ta), 12.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 100µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

48.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2430pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±25V

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