Comprar Infineon Technologies BSF134N10NJ3GXUMA1 MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

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Hojas de datos

BSF134N10NJ3GXUMA1

MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Número de pieza

BSF134N10NJ3GXUMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

3-WDSON

Paquete de dispositivo del proveedor

MG-WDSON-2, CanPAK M™

Disipación de energía (máx.)

2.2W (Ta), 43W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9A (Ta), 40A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

13.4 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 40µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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