Comprar Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1 MOSFET N-CH 4SOT223

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BSP88H6327XTSA1

MOSFET N-CH 4SOT223

Número de pieza

BSP88H6327XTSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-261-4, TO-261AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-SOT223-4

Disipación de energía (máx.)

1.8W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

240V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

350mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.4V @ 108µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

95pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.8V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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