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IPA70R900P7SXKSA1

IPA70R900P7SXKSA1

MOSFET N-CH TO220-3
Número de pieza
IPA70R900P7SXKSA1
Fabricante/Marca
Serie
CoolMOS™ P7
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3 Full Pack
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO220 Full Pack
Disipación de energía (máx.)
20.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
700V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 60µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 400V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
211pF @ 400V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±16V
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Palabras clave deIPA70R900P7SXKSA1
IPA70R900P7SXKSA1 Componentes electrónicos
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