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IPC022N03L3X1SA1
MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
Número de pieza
IPC022N03L3X1SA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Paquete de dispositivo del proveedor
Sawn on foil
Disipación de energía (máx.)
-
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1A (Tj)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
-
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