La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IPD122N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Número de pieza
IPD122N10N3GBTMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO252-3
Disipación de energía (máx.)
94W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
59A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
12.2 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.5V @ 46µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 18524 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIPD122N10N3GBTMA1
IPD122N10N3GBTMA1 Componentes electrónicos
IPD122N10N3GBTMA1 Ventas
IPD122N10N3GBTMA1 Proveedor
IPD122N10N3GBTMA1 Distribuidor
IPD122N10N3GBTMA1 Tabla de datos
IPD122N10N3GBTMA1 Fotos
IPD122N10N3GBTMA1 Precio
IPD122N10N3GBTMA1 Oferta
IPD122N10N3GBTMA1 El precio más bajo
IPD122N10N3GBTMA1 Buscar
IPD122N10N3GBTMA1 Adquisitivo
IPD122N10N3GBTMA1 Chip